Why Nostr? What is Njump?
2024-04-06 01:05:01

9tonmai on Nostr: ![image]() 🙂 **NAND คืออะไร** NAND ...

image 🙂 NAND คืออะไร NAND คือแฟลชเมมโมรี่แบบไม่เลือนหายซึ่งสามารถเก็บรักษาข้อมูลได้แม้ว่าจะไม่ได้ต่ออยู่กับแหล่งจ่ายไฟ ความสามารถในการเก็บรักษาข้อมูลเมื่อตัดกระแสไฟฟ้าทำให้ NAND เป็นทางเลือกที่ดีอย่างยิ่งสำหรับใช้กับอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลติดตั้งภายใน ต่อพ่วง หรือแบบพกพา ไดรฟ์ USB, SSD และการ์ด SD ล้วนใช้เทคโนโลยีแฟลช โดยถือเป็นหน่วยความจำสำหรับอุปกรณ์ต่าง ๆ เช่น โทรศัพท์มือถือและกล้องดิจิตอลของคุณ . 😗 มี NAND ที่จำหน่ายในตลาดอยู่หลายประเภท ในเบื้องต้น ข้อแตกต่างที่สำคัญคือจำนวนบิตที่สามารถจัดเก็บต่อเซลล์ บิตคือประจุไฟฟ้าที่สามารถรองรับค่าได้สองค่าคือ 0 หรือ 1 หรือ เปิด/ปิด

. 🙂 ข้อแตกต่างที่สำคัญระหว่าง NAND แต่ละประเภทคือราคา ความจุ และความทนทาน ความทนทานจะพิจารณาจากจำนวนรอบการเขียนโปรแกรม-ลบข้อมูล (P/E) ที่เซลล์แฟลชรองรับก่อนจะเริ่มเสื่อมสภาพ รอบ P/E คือกระบวนการลบและเขียนข้อมูลไปที่เซลล์ สำหรับเทคโนโลยี NAND แล้ว หากมีรอบ P/E มากกว่า อุปกรณ์ก็ย่อมทนทานมากกว่า

. 😗 สื่อบันทึกข้อมูลแฟลช NAND ที่พบได้ทั่วไปได้แก่ SLC, MLC, TLC และ 3D NAND บทความนี้จะกล่าวถึงความแตกต่างของ NAND แต่ละประเภท . 📀📀** SLC NAND** 👍 ข้อดี: ทนทานมากที่สุด - ข้อเสีย: ราคาแพงและความจุต่ำ NAND แบบ Single-Level Cell (SLC) จะจัดเก็บข้อมูลเพียง 1 บิตต่อเซลล์ เซลล์จะจัดเก็บข้อมูลเป็น 0 หรือ 1 เพื่อให้สามารถเขียนและเรียกค้นข้อมูลได้อย่างรวดเร็ว SLC มีประสิทธิภาพมากที่สุด และทนทานมากที่สุด โดยมีรอบ P/E สูงถึง 100,000 รอบ ทำให้ใช้งานได้ยาวนานกว่า NAND ประเภทอื่น อย่างไรก็ตาม ความหนาแน่นของข้อมูลที่ต่ำทำให้ SLC เป็น NAND ที่มีต้นทุนสูงที่สุด จึงมักไม่ใช้ในผลิตภัณฑ์ใช้งานทั่วไป ปกติจะใช้กับเซิร์ฟเวอร์และส่วนการใช้งานทางอุตสาหกรรมที่ต้องการความเร็วและความทนทานเป็นพิเศษ

. 💿💿 MLC NAND 👍 ข้อดี: ราคาถูกกว่า SLC - ข้อเสีย: ช้ากว่าและทนทานน้อยกว่า SLC NAND แบบ Multi-level cell (MLC) สามารถจัดเก็บข้อมูลได้หลายบิตต่อเซลล์ แม้ว่าอักษรย่อ MLC จะมักหมายถึงข้อมูล 2 บิตต่อเซลล์ก็ตาม MLC มีความหนาแน่นของข้อมูลที่สูงกว่า SLC ทำให้มีการผลิตที่ความจุสูงกว่า MLC มีข้อดีทั้งในด้านราคา ประสิทธิภาพ และความทนทาน อย่างไรก็ตาม MLC มักเกิดข้อผิดพลาดกับข้อมูลมากกว่าและรองรับรอบ P/E ที่ 10,000 รอบ ทำให้มีความทนทานน้อยกว่าเมื่อเทียบกับ SLC MLC มักใช้กับผลิตภัณฑ์ใช้งานทั่วไปที่ความทนทานอาจไม่ใช่ประเด็นสำคัญ

. 💾💾 TLC NAND 👍 ข้อดี: ราคาถูกที่สุดและความจุมากที่สุด - ข้อเสีย: ความทนทานต่ำ NAND แบบ Triple-level cell (TLC) สามารถจัดเก็บข้อมูลได้ 3 บิตต่อเซลล์ จำนวนบิตต่อเซลล์ที่เพิ่มขึ้นจะช่วยลดต้นทุนและทำให้รองรับความจุได้มากกว่าเดิม แต่ก็จะมีผลต่อประสิทธิภาพและความทนทาน โดยจะรองรับ P/E เพียง 3,000 รอบเท่านั้น ผลิตภัณฑ์ใช้งานทั่วไปส่วนใหญ่จะใช้ TLC ซึ่งเป็นทางเลือกที่ราคาประหยัดที่สุด . 💽💽 3D NAND ในช่วงไม่ถึงสิบปีที่ผ่านมา 3D NAND ได้กลายเป็นนวัตกรรมใหม่ที่สำคัญอย่างยิ่งในตลาดแฟลช ผู้ผลิตแฟลชได้พัฒนา 3D NAND ขึ้นเพื่อแก้ไขปัญหาที่พบกับ 2D NAND เพื่อให้รองรับความจุได้มากขึ้นโดยมีต้นทุนลดลง ใน 2D NAND เซลล์ที่จัดเก็บข้อมูลจะถูกจัดวางในแนวนอนเรียงต่อกัน ซึ่งหมายถึงพื้นที่ที่สามารถจัดวางเซลล์จะมีอยู่อย่างจำกัด และการทำให้เซลล์เล็กลงก็จะยิ่งมีผลต่อเสถียรภาพในการทำงาน

. ดังนั้นผู้ผลิต NAND จึงตัดสินใจวางซ้อนเซลล์ในรูปแบบใหม่ ทำให้เกิด 3D NAND ขึ้นโดยมีการจัดเรียงเซลล์ในแนวตั้ง ความหนาแน่นของหน่วยความจำที่มากกว่าทำให้รองรับพื้นที่จัดเก็บข้อมูลได้มากขึ้นโดยไม่เพิ่มภาระต้นทุน 3D NAND ยังมีความทนทานที่เหนือกว่าและใช้พลังงานน้อยกว่า

. โดยรวมแล้ว NAND เป็นเทคโนโลยีหน่วยความจำที่สำคัญอย่างยิ่ง เนื่องจากจะทำให้สามารถลบและเขียนข้อมูลได้อย่างรวดเร็วและมีต้นทุนต่อบิตที่ต่ำกว่า การเติบโตของอุตสาหกรรมเกมทำให้เทคโนโลยี NAND มีการพัฒนาอย่างต่อเนื่องเพื่อตอบสนองความต้องการด้านการจัดเก็บข้อมูลที่มากขึ้นเรื่อย ๆ ของผู้บริโภค . image . สรุปแบบเข้าใจง่ายๆ ประเภทของ NAND แบ่งออกได้ : 📀 SLC (Single-Level Cell): เก็บข้อมูล 1 บิตต่อเซลล์ มีความเร็วสูง ทนทานสูง ราคาแพง เหมาะกับงานที่ต้องการความเร็วและความเสถียร 💿 MLC (Multi-Level Cell): เก็บข้อมูล 2 บิตต่อเซลล์ ความเร็วปานกลาง ทนทานปานกลาง ราคาปานกลาง เหมาะกับงานทั่วไป 💾 TLC (Triple-Level Cell): เก็บข้อมูล 3 บิตต่อเซลล์ ความเร็วช้า ทนทานต่ำ ราคาถูก เหมาะกับงานที่ต้องการพื้นที่เก็บข้อมูลขนาดใหญ่ 💽 3D NAND: เทคโนโลยีใหม่ที่เพิ่มชั้นของ NAND flash memory ช่วยให้เพิ่มความจุและลดต้นทุน . แหล่งที่มา : www.kingston.com/th/blog/pc-performance/difference-between-slc-mlc-tlc-3d-nandkingston

Author Public Key
npub1g5zhjxqt6dcea04qh6t6vmgrme9uxd7rp0u8ch82fte0hykmq4ssrp4x6v