9tonmai on Nostr: ![image]() 🙂 **NAND คืออะไร** NAND ...
🙂 NAND คืออะไร
NAND คือแฟลชเมมโมรี่แบบไม่เลือนหายซึ่งสามารถเก็บรักษาข้อมูลได้แม้ว่าจะไม่ได้ต่ออยู่กับแหล่งจ่ายไฟ ความสามารถในการเก็บรักษาข้อมูลเมื่อตัดกระแสไฟฟ้าทำให้ NAND เป็นทางเลือกที่ดีอย่างยิ่งสำหรับใช้กับอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลติดตั้งภายใน ต่อพ่วง หรือแบบพกพา ไดรฟ์ USB, SSD และการ์ด SD ล้วนใช้เทคโนโลยีแฟลช โดยถือเป็นหน่วยความจำสำหรับอุปกรณ์ต่าง ๆ เช่น โทรศัพท์มือถือและกล้องดิจิตอลของคุณ
.
😗 มี NAND ที่จำหน่ายในตลาดอยู่หลายประเภท ในเบื้องต้น ข้อแตกต่างที่สำคัญคือจำนวนบิตที่สามารถจัดเก็บต่อเซลล์ บิตคือประจุไฟฟ้าที่สามารถรองรับค่าได้สองค่าคือ 0 หรือ 1 หรือ เปิด/ปิด
.
🙂 ข้อแตกต่างที่สำคัญระหว่าง NAND แต่ละประเภทคือราคา ความจุ และความทนทาน ความทนทานจะพิจารณาจากจำนวนรอบการเขียนโปรแกรม-ลบข้อมูล (P/E) ที่เซลล์แฟลชรองรับก่อนจะเริ่มเสื่อมสภาพ รอบ P/E คือกระบวนการลบและเขียนข้อมูลไปที่เซลล์ สำหรับเทคโนโลยี NAND แล้ว หากมีรอบ P/E มากกว่า อุปกรณ์ก็ย่อมทนทานมากกว่า
.
😗 สื่อบันทึกข้อมูลแฟลช NAND ที่พบได้ทั่วไปได้แก่ SLC, MLC, TLC และ 3D NAND บทความนี้จะกล่าวถึงความแตกต่างของ NAND แต่ละประเภท
.
📀📀** SLC NAND**
👍 ข้อดี: ทนทานมากที่สุด - ข้อเสีย: ราคาแพงและความจุต่ำ
NAND แบบ Single-Level Cell (SLC) จะจัดเก็บข้อมูลเพียง 1 บิตต่อเซลล์ เซลล์จะจัดเก็บข้อมูลเป็น 0 หรือ 1 เพื่อให้สามารถเขียนและเรียกค้นข้อมูลได้อย่างรวดเร็ว SLC มีประสิทธิภาพมากที่สุด และทนทานมากที่สุด โดยมีรอบ P/E สูงถึง 100,000 รอบ ทำให้ใช้งานได้ยาวนานกว่า NAND ประเภทอื่น อย่างไรก็ตาม ความหนาแน่นของข้อมูลที่ต่ำทำให้ SLC เป็น NAND ที่มีต้นทุนสูงที่สุด จึงมักไม่ใช้ในผลิตภัณฑ์ใช้งานทั่วไป ปกติจะใช้กับเซิร์ฟเวอร์และส่วนการใช้งานทางอุตสาหกรรมที่ต้องการความเร็วและความทนทานเป็นพิเศษ
.
💿💿 MLC NAND
👍 ข้อดี: ราคาถูกกว่า SLC - ข้อเสีย: ช้ากว่าและทนทานน้อยกว่า SLC
NAND แบบ Multi-level cell (MLC) สามารถจัดเก็บข้อมูลได้หลายบิตต่อเซลล์ แม้ว่าอักษรย่อ MLC จะมักหมายถึงข้อมูล 2 บิตต่อเซลล์ก็ตาม MLC มีความหนาแน่นของข้อมูลที่สูงกว่า SLC ทำให้มีการผลิตที่ความจุสูงกว่า MLC มีข้อดีทั้งในด้านราคา ประสิทธิภาพ และความทนทาน อย่างไรก็ตาม MLC มักเกิดข้อผิดพลาดกับข้อมูลมากกว่าและรองรับรอบ P/E ที่ 10,000 รอบ ทำให้มีความทนทานน้อยกว่าเมื่อเทียบกับ SLC MLC มักใช้กับผลิตภัณฑ์ใช้งานทั่วไปที่ความทนทานอาจไม่ใช่ประเด็นสำคัญ
.
💾💾 TLC NAND
👍 ข้อดี: ราคาถูกที่สุดและความจุมากที่สุด - ข้อเสีย: ความทนทานต่ำ
NAND แบบ Triple-level cell (TLC) สามารถจัดเก็บข้อมูลได้ 3 บิตต่อเซลล์ จำนวนบิตต่อเซลล์ที่เพิ่มขึ้นจะช่วยลดต้นทุนและทำให้รองรับความจุได้มากกว่าเดิม แต่ก็จะมีผลต่อประสิทธิภาพและความทนทาน โดยจะรองรับ P/E เพียง 3,000 รอบเท่านั้น ผลิตภัณฑ์ใช้งานทั่วไปส่วนใหญ่จะใช้ TLC ซึ่งเป็นทางเลือกที่ราคาประหยัดที่สุด
.
💽💽 3D NAND
ในช่วงไม่ถึงสิบปีที่ผ่านมา 3D NAND ได้กลายเป็นนวัตกรรมใหม่ที่สำคัญอย่างยิ่งในตลาดแฟลช ผู้ผลิตแฟลชได้พัฒนา 3D NAND ขึ้นเพื่อแก้ไขปัญหาที่พบกับ 2D NAND เพื่อให้รองรับความจุได้มากขึ้นโดยมีต้นทุนลดลง ใน 2D NAND เซลล์ที่จัดเก็บข้อมูลจะถูกจัดวางในแนวนอนเรียงต่อกัน ซึ่งหมายถึงพื้นที่ที่สามารถจัดวางเซลล์จะมีอยู่อย่างจำกัด และการทำให้เซลล์เล็กลงก็จะยิ่งมีผลต่อเสถียรภาพในการทำงาน
.
ดังนั้นผู้ผลิต NAND จึงตัดสินใจวางซ้อนเซลล์ในรูปแบบใหม่ ทำให้เกิด 3D NAND ขึ้นโดยมีการจัดเรียงเซลล์ในแนวตั้ง ความหนาแน่นของหน่วยความจำที่มากกว่าทำให้รองรับพื้นที่จัดเก็บข้อมูลได้มากขึ้นโดยไม่เพิ่มภาระต้นทุน 3D NAND ยังมีความทนทานที่เหนือกว่าและใช้พลังงานน้อยกว่า
.
โดยรวมแล้ว NAND เป็นเทคโนโลยีหน่วยความจำที่สำคัญอย่างยิ่ง เนื่องจากจะทำให้สามารถลบและเขียนข้อมูลได้อย่างรวดเร็วและมีต้นทุนต่อบิตที่ต่ำกว่า การเติบโตของอุตสาหกรรมเกมทำให้เทคโนโลยี NAND มีการพัฒนาอย่างต่อเนื่องเพื่อตอบสนองความต้องการด้านการจัดเก็บข้อมูลที่มากขึ้นเรื่อย ๆ ของผู้บริโภค
.
.
สรุปแบบเข้าใจง่ายๆ
ประเภทของ NAND แบ่งออกได้ :
📀 SLC (Single-Level Cell): เก็บข้อมูล 1 บิตต่อเซลล์ มีความเร็วสูง ทนทานสูง ราคาแพง เหมาะกับงานที่ต้องการความเร็วและความเสถียร
💿 MLC (Multi-Level Cell): เก็บข้อมูล 2 บิตต่อเซลล์ ความเร็วปานกลาง ทนทานปานกลาง ราคาปานกลาง เหมาะกับงานทั่วไป
💾 TLC (Triple-Level Cell): เก็บข้อมูล 3 บิตต่อเซลล์ ความเร็วช้า ทนทานต่ำ ราคาถูก เหมาะกับงานที่ต้องการพื้นที่เก็บข้อมูลขนาดใหญ่
💽 3D NAND: เทคโนโลยีใหม่ที่เพิ่มชั้นของ NAND flash memory ช่วยให้เพิ่มความจุและลดต้นทุน
.
แหล่งที่มา : www.kingston.com/th/blog/pc-performance/difference-between-slc-mlc-tlc-3d-nandkingston
Published at
2024-04-06 01:05:01Event JSON
{
"id": "e35b923d0064d8589cc4009a0d037f8c1e737ccbb459426e4db88a4093c8ef51",
"pubkey": "450579180bd3719ebea0be97a66d03de4bc337c30bf87c5cea4af2fb92db0561",
"created_at": 1712365501,
"kind": 30023,
"tags": [
[
"client",
"31990:20986fb83e775d96d188ca5c9df10ce6d613e0eb7e5768a0f0b12b37cdac21b3:1700732875747"
],
[
"published_at",
"1712365501"
],
[
"d",
"qvxWKolCJzAYG-D5_iM4e"
],
[
"image",
"https://yakihonne.s3.ap-east-1.amazonaws.com/450579180bd3719ebea0be97a66d03de4bc337c30bf87c5cea4af2fb92db0561/files/1712365501296-YAKIHONNES3.JPG"
],
[
"title",
"ข้อแตกต่างระหว่าง SLC, MLC, TLC และ 3D NAND ใน Flash drive แบบ USB, SSD และ Memory card"
],
[
"summary",
""
],
[
"zap",
"450579180bd3719ebea0be97a66d03de4bc337c30bf87c5cea4af2fb92db0561",
"",
"100"
],
[
"t",
"ระบบจัดเก็บข้อมูลส่วนบุคคล"
],
[
"t",
"USB FLASH DRIVES"
],
[
"t",
"เมมโมรี่การ์ด"
],
[
"t",
"SSD"
],
[
"t",
"ประสิทธิภาพของ PC"
]
],
"content": "\n🙂 **NAND คืออะไร**\nNAND คือแฟลชเมมโมรี่แบบไม่เลือนหายซึ่งสามารถเก็บรักษาข้อมูลได้แม้ว่าจะไม่ได้ต่ออยู่กับแหล่งจ่ายไฟ ความสามารถในการเก็บรักษาข้อมูลเมื่อตัดกระแสไฟฟ้าทำให้ NAND เป็นทางเลือกที่ดีอย่างยิ่งสำหรับใช้กับอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลติดตั้งภายใน ต่อพ่วง หรือแบบพกพา ไดรฟ์ USB, SSD และการ์ด SD ล้วนใช้เทคโนโลยีแฟลช โดยถือเป็นหน่วยความจำสำหรับอุปกรณ์ต่าง ๆ เช่น โทรศัพท์มือถือและกล้องดิจิตอลของคุณ\n.\n😗 มี NAND ที่จำหน่ายในตลาดอยู่หลายประเภท ในเบื้องต้น ข้อแตกต่างที่สำคัญคือจำนวนบิตที่สามารถจัดเก็บต่อเซลล์ บิตคือประจุไฟฟ้าที่สามารถรองรับค่าได้สองค่าคือ 0 หรือ 1 หรือ เปิด/ปิด\n\n.\n🙂 ข้อแตกต่างที่สำคัญระหว่าง NAND แต่ละประเภทคือราคา ความจุ และความทนทาน ความทนทานจะพิจารณาจากจำนวนรอบการเขียนโปรแกรม-ลบข้อมูล (P/E) ที่เซลล์แฟลชรองรับก่อนจะเริ่มเสื่อมสภาพ รอบ P/E คือกระบวนการลบและเขียนข้อมูลไปที่เซลล์ สำหรับเทคโนโลยี NAND แล้ว หากมีรอบ P/E มากกว่า อุปกรณ์ก็ย่อมทนทานมากกว่า\n\n.\n😗 สื่อบันทึกข้อมูลแฟลช NAND ที่พบได้ทั่วไปได้แก่ SLC, MLC, TLC และ 3D NAND บทความนี้จะกล่าวถึงความแตกต่างของ NAND แต่ละประเภท\n.\n📀📀** SLC NAND**\n👍 **ข้อดี: ทนทานมากที่สุด - ข้อเสีย: ราคาแพงและความจุต่ำ**\nNAND แบบ Single-Level Cell (SLC) จะจัดเก็บข้อมูลเพียง 1 บิตต่อเซลล์ เซลล์จะจัดเก็บข้อมูลเป็น 0 หรือ 1 เพื่อให้สามารถเขียนและเรียกค้นข้อมูลได้อย่างรวดเร็ว SLC มีประสิทธิภาพมากที่สุด และทนทานมากที่สุด โดยมีรอบ P/E สูงถึง 100,000 รอบ ทำให้ใช้งานได้ยาวนานกว่า NAND ประเภทอื่น อย่างไรก็ตาม ความหนาแน่นของข้อมูลที่ต่ำทำให้ SLC เป็น NAND ที่มีต้นทุนสูงที่สุด จึงมักไม่ใช้ในผลิตภัณฑ์ใช้งานทั่วไป ปกติจะใช้กับเซิร์ฟเวอร์และส่วนการใช้งานทางอุตสาหกรรมที่ต้องการความเร็วและความทนทานเป็นพิเศษ\n\n.\n💿💿 **MLC NAND**\n👍 **ข้อดี: ราคาถูกกว่า SLC - ข้อเสีย: ช้ากว่าและทนทานน้อยกว่า SLC**\nNAND แบบ Multi-level cell (MLC) สามารถจัดเก็บข้อมูลได้หลายบิตต่อเซลล์ แม้ว่าอักษรย่อ MLC จะมักหมายถึงข้อมูล 2 บิตต่อเซลล์ก็ตาม MLC มีความหนาแน่นของข้อมูลที่สูงกว่า SLC ทำให้มีการผลิตที่ความจุสูงกว่า MLC มีข้อดีทั้งในด้านราคา ประสิทธิภาพ และความทนทาน อย่างไรก็ตาม MLC มักเกิดข้อผิดพลาดกับข้อมูลมากกว่าและรองรับรอบ P/E ที่ 10,000 รอบ ทำให้มีความทนทานน้อยกว่าเมื่อเทียบกับ SLC MLC มักใช้กับผลิตภัณฑ์ใช้งานทั่วไปที่ความทนทานอาจไม่ใช่ประเด็นสำคัญ\n\n.\n💾💾 **TLC NAND**\n👍 **ข้อดี: ราคาถูกที่สุดและความจุมากที่สุด - ข้อเสีย: ความทนทานต่ำ**\nNAND แบบ Triple-level cell (TLC) สามารถจัดเก็บข้อมูลได้ 3 บิตต่อเซลล์ จำนวนบิตต่อเซลล์ที่เพิ่มขึ้นจะช่วยลดต้นทุนและทำให้รองรับความจุได้มากกว่าเดิม แต่ก็จะมีผลต่อประสิทธิภาพและความทนทาน โดยจะรองรับ P/E เพียง 3,000 รอบเท่านั้น ผลิตภัณฑ์ใช้งานทั่วไปส่วนใหญ่จะใช้ TLC ซึ่งเป็นทางเลือกที่ราคาประหยัดที่สุด\n.\n💽💽 **3D NAND**\nในช่วงไม่ถึงสิบปีที่ผ่านมา 3D NAND ได้กลายเป็นนวัตกรรมใหม่ที่สำคัญอย่างยิ่งในตลาดแฟลช ผู้ผลิตแฟลชได้พัฒนา 3D NAND ขึ้นเพื่อแก้ไขปัญหาที่พบกับ 2D NAND เพื่อให้รองรับความจุได้มากขึ้นโดยมีต้นทุนลดลง ใน 2D NAND เซลล์ที่จัดเก็บข้อมูลจะถูกจัดวางในแนวนอนเรียงต่อกัน ซึ่งหมายถึงพื้นที่ที่สามารถจัดวางเซลล์จะมีอยู่อย่างจำกัด และการทำให้เซลล์เล็กลงก็จะยิ่งมีผลต่อเสถียรภาพในการทำงาน\n\n.\nดังนั้นผู้ผลิต NAND จึงตัดสินใจวางซ้อนเซลล์ในรูปแบบใหม่ ทำให้เกิด 3D NAND ขึ้นโดยมีการจัดเรียงเซลล์ในแนวตั้ง ความหนาแน่นของหน่วยความจำที่มากกว่าทำให้รองรับพื้นที่จัดเก็บข้อมูลได้มากขึ้นโดยไม่เพิ่มภาระต้นทุน 3D NAND ยังมีความทนทานที่เหนือกว่าและใช้พลังงานน้อยกว่า\n\n.\nโดยรวมแล้ว NAND เป็นเทคโนโลยีหน่วยความจำที่สำคัญอย่างยิ่ง เนื่องจากจะทำให้สามารถลบและเขียนข้อมูลได้อย่างรวดเร็วและมีต้นทุนต่อบิตที่ต่ำกว่า การเติบโตของอุตสาหกรรมเกมทำให้เทคโนโลยี NAND มีการพัฒนาอย่างต่อเนื่องเพื่อตอบสนองความต้องการด้านการจัดเก็บข้อมูลที่มากขึ้นเรื่อย ๆ ของผู้บริโภค\n.\n\n.\n**สรุปแบบเข้าใจง่ายๆ**\nประเภทของ NAND แบ่งออกได้ :\n📀 SLC (Single-Level Cell): เก็บข้อมูล 1 บิตต่อเซลล์ มีความเร็วสูง ทนทานสูง ราคาแพง เหมาะกับงานที่ต้องการความเร็วและความเสถียร\n💿 MLC (Multi-Level Cell): เก็บข้อมูล 2 บิตต่อเซลล์ ความเร็วปานกลาง ทนทานปานกลาง ราคาปานกลาง เหมาะกับงานทั่วไป\n💾 TLC (Triple-Level Cell): เก็บข้อมูล 3 บิตต่อเซลล์ ความเร็วช้า ทนทานต่ำ ราคาถูก เหมาะกับงานที่ต้องการพื้นที่เก็บข้อมูลขนาดใหญ่\n💽 3D NAND: เทคโนโลยีใหม่ที่เพิ่มชั้นของ NAND flash memory ช่วยให้เพิ่มความจุและลดต้นทุน\n.\n*แหล่งที่มา : www.kingston.com/th/blog/pc-performance/difference-between-slc-mlc-tlc-3d-nandkingston*",
"sig": "c256519ad681063bf53a060e145d3fc57996f63a98cee9d6d9c33b52be19b9dcaec60a605c73ccd09880090175e5f813181d075af3422fc74cd3cc71b8515dec"
}